EOS测试及设计

office365打不开 📅 2025-07-07 01:52:26 👤 admin 👁️ 6439 👑 573
EOS测试及设计

Electrical Over Stress,电源过压过应力;

过压或过流产生大量热能烧毁元器件;

一般指雷击浪涌,其实ESD也属于该范畴;

产生原因:雷击,电源浪涌、接口的热插拔、开关器件的电源尖峰等;

测试方法:

采用专用的EOS测试仪器,模拟各种典型雷击波形:

eg:典型雷击电流曲线--10/350us波形;

10us:冲击脉冲到达90%电流峰值的时间;

350us:电流降到半峰值电流的时间;

测试步骤:

1.电源->EOS测试设备->板卡;浪涌直接串进电源中供给板卡;

2. EOS测试设备->板卡中间的电线套上电流传感器(eg 1:10的霍尔传感器),在板卡电源前端的TVS位置接示波器电压探头;

3.EOS测试界面设置从30V往上每隔10V为一档,一档测3~5次,观察示波器显示的残压和电流(用Trigger,哪个波形明显Tri哪个);

4.当残压到达板卡测试电源通路中某个IC SPEC中规定的最大耐压值时,基本就要打穿了;

想看极限值可以加压看击穿曲线(残压到peak后迅速下降,电源供电端的电流会突增,板卡某个器件会很烫);

想保板卡就可以停止实验了。

改进措施:

拿到测试数据后可知道哪个电源的抗EOS效果较差,之后可以通过使用压敏电阻或采用更大功率和泄放电流的TVS管来改善,后者可以使钳位电压变低。

eg:指标中该IC耐压值为18.9V,使用小功率TVS,当EOS为100V时残压会到这个值;换了大功率TVS后,抗EOS压值会到120V。

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TVS钳位电压Vc的新认识:EOS测试时发现,外界电压超过TVS Vc时,只能保证TVS两端的电压不再升高了(此时IPP会随着浪涌电压线性增大),但进入后部电路中的电压并不能被钳位在Vc,会随着外部浪涌电压值线性增大。如果外部电压>Vc且持续时间过长,TVS管很容易烧坏。

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